無(wú)論是三星還是SK海力士，想要生產(chǎn)下一代NAND閃存，都無(wú)法繞開(kāi)長(cháng)江存儲的專(zhuān)利！

今天下午，韓國媒體ZDNET Korea報道，三星電子近日與長(cháng)江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專(zhuān)利許可協(xié)議。因為評估認為，下一代NAND業(yè)務(wù)的不確定性增加，從V10（第10代）  NAND開(kāi)始，已經(jīng)無(wú)法再避免長(cháng)江存儲專(zhuān)利的影響。

除了三星，ZDNET Korea還強調，韓國另一大存儲芯片巨頭SK海力士的下一代NAND閃存芯片的核心專(zhuān)利，也需要依賴(lài)中國，預計SK海力士也將與長(cháng)江存儲簽署專(zhuān)利協(xié)議。

看到這里，可能有讀者會(huì )好奇，目前三星、SK海力士幾乎壟斷了全球的NAND市場(chǎng)，那為什么在下一代NAND閃存芯片領(lǐng)域，又必須依賴(lài)長(cháng)江存儲呢？

三星原有技術(shù)不適應下一代NAND閃存芯片

V10是三星電子的下一代NAND，計劃于今年下半年量產(chǎn)。根據三星的規劃，V10的堆疊層數估計在420到430之間。

但目前，量產(chǎn)的NAND閃存的堆疊層數都在300層左右。其中，海力士、三星當前量產(chǎn)的堆疊層數最高的產(chǎn)品堆疊層數分別為286層、321層。

那么，如何將3D NAND閃存芯片的堆疊層數從300層提高到400層？這并不是常規的技術(shù)演進(jìn)，涉及到重大的技術(shù)跨越。而在這個(gè)技術(shù)跨越中繞不開(kāi)長(cháng)江存儲的專(zhuān)利。

據 ZDNet 報道，三星之前在 NAND 生產(chǎn)中使用了 COP（外圍單元）方法，即將外圍電路置于一個(gè)晶圓上，并將單元堆疊在上面。然而，隨著(zhù)層數超過(guò) 400，下層外圍的壓力會(huì )影響可靠性，即施加于下部渡輪的壓力可能會(huì )變得很大并造成損壞。

因此，三星、海力士等企業(yè)決定采用W2W（晶圓到晶圓）混合鍵合技術(shù)，即在單獨的晶圓上制造電池和渡線(xiàn)，然后將它們組合成一個(gè)。而這一技術(shù)，其實(shí)就是長(cháng)江存儲大約四年前就開(kāi)始積極量產(chǎn)名為“Xtaking”的混合鍵合技術(shù)。 

長(cháng)江存儲的優(yōu)勢？

據ZDNET Korea報道報道，目前擁有混合鍵合相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利最多的三家公司分別是Xperi、長(cháng)江存儲和TSMC。那么，為什么三星為什么首先要與長(cháng)江存儲合作？

從ZDNET Korea的報道來(lái)看，長(cháng)江存儲擁有以下幾大優(yōu)勢：

1、長(cháng)江存儲擁有多項獨家技術(shù)

最初，長(cháng)江存儲與美國專(zhuān)利授權公司Xperi簽署協(xié)議獲得了混合鍵合技術(shù)的原始專(zhuān)利。此后，長(cháng)江存儲通過(guò)自主技術(shù)創(chuàng )新，在混合鍵合技術(shù)技術(shù)方面又建立了相當多的自主技術(shù)專(zhuān)利。

2、長(cháng)江存儲的“Xtaking”技術(shù)已經(jīng)穩定量產(chǎn)

目前，長(cháng)江存儲的“Xtaking”技術(shù)已經(jīng)演進(jìn)到第四代，即“4.x”版本。長(cháng)江存儲此前已利用Extacking技術(shù)量產(chǎn)了160級、192級、232級等產(chǎn)品。因此，有評估認為這已實(shí)現了混合鍵合的技術(shù)穩定。

相比之下，Xperi是一家專(zhuān)利授權公司，而臺積電雖然是一家半導體代工企業(yè)，但其本身并不生產(chǎn)NAND閃存芯片。

最后，ZDNET Korea援引知情人士的話(huà)稱(chēng)： “三星電子也是在判斷其在V10、V11和V12等下一代NAND的開(kāi)發(fā)中幾乎不可能避開(kāi)長(cháng)江存儲的專(zhuān)利的情況下簽訂了許可協(xié)議?！?/p>

不過(guò)需要注意的是，雖然三星獲得了長(cháng)江存儲的專(zhuān)利授權，但在生產(chǎn)成本上，還是會(huì )高于長(cháng)江存儲。TechInsights 的 Choi Jeong-dong 博士表示：“由于存在許多變化，例如工藝轉換和新設施投資，因此與長(cháng)期采用混合鍵合技術(shù)的長(cháng)江存儲相比，制造成本必然會(huì )高得多?！?/p>

延伸閱讀：韓國在半導體基礎、原創(chuàng )研究方面已經(jīng)落后中國

韓國媒體東亞日報報道，據韓國科學(xué)技術(shù)企劃評價(jià)院23日的報告書(shū)顯示，以2024年為準，韓國在半導體核心技術(shù)5個(gè)領(lǐng)域中，在高集成存儲器，高性能人工智能半導體，電力半導體，新一代高性能傳感技術(shù)等4個(gè)領(lǐng)域落后于中國。在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域，被評價(jià)為與中國打個(gè)平手。

報告書(shū)評價(jià)說(shuō)，以半導體技術(shù)生命周期為準，在工藝和批量生產(chǎn)技術(shù)上，韓國雖然領(lǐng)先于中國，但在基礎、原創(chuàng )研究和設計技術(shù)上，不僅落后于中國，而且在主要國家中處于最低水平。