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手機也要上HBM芯片？三星計劃推出移動(dòng)版HBM，預計首款產(chǎn)品2028年上市

2025/2/20 18:53:59      挖貝網(wǎng) 周路遙

近年來(lái)，隨著(zhù)AI的興起，一種具有高帶寬低功耗特征的存儲芯片——HBM芯片也隨之爆火，包括  NVIDIA H100、AMD MI300等均使用了HBM芯片?，F在，三星計劃進(jìn)一步擴大HBM芯片的使用范圍，將其帶到手機市場(chǎng)。

據韓國首爾經(jīng)濟日報報道，三星電子半導體暨裝置解決方案（DS）部門(mén)首席技術(shù)官宋在赫表示，搭載LPW DRAM內存的首款移動(dòng)產(chǎn)品將在2028年上市。LPW DRAM通過(guò)堆疊LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可減少耗電量并提高性能，采用垂直引線(xiàn)鍵合的新封裝技術(shù)，被譽(yù)為“移動(dòng)HBM”。其帶寬可達200GB/s以上，較現有的LPDDR5x提升166%。

據了解，HBM為High Bandwidth Memory縮寫(xiě)，意即高帶寬內存。這是一種基于3D堆疊技術(shù)的高性能動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），專(zhuān)為需要極高數據帶寬的應用設計。它通過(guò)垂直堆疊多層DRAM芯片，利用**硅通孔（TSV）和中介層（Interposer）**實(shí)現與處理器（如GPU、CPU、AI加速器）的高速互聯(lián)，顯著(zhù)提升內存帶寬和能效。

舉例來(lái)說(shuō)，單顆HBM芯片帶寬可達數百GB/s至數TB/s（例如HBM3單堆棧帶寬達819 GB/s）；同時(shí)，相比GDDR6，得益于短距離互連和先進(jìn)制程，HBM在相同帶寬下功耗降低約50%。