自2019年6月以來(lái)，科創(chuàng)板上市效應(yīng)激發(fā)了創(chuàng)新資本“投早、投小、投科技”的積極性，打通了創(chuàng)投在科技創(chuàng)新行業(yè)“募投管退”全環(huán)節(jié)，促進(jìn)了科技、資本與實(shí)體經(jīng)濟(jì)的高水平循環(huán)。今年上市的功率半導(dǎo)體企業(yè)東微半導(dǎo)（688261.SH）即是科創(chuàng)板中典型的創(chuàng)新資本與公司價(jià)值共同成長(zhǎng)的經(jīng)典案例之一。

東微半導(dǎo)于2022年2月登陸科創(chuàng)板，在上市之初已備受市場(chǎng)青睞，發(fā)行PE倍數(shù)高達(dá)429.30倍，是上市后市場(chǎng)表現(xiàn)突出的百元股之一。

從東微半導(dǎo)的股東結(jié)構(gòu)來(lái)看，上市前公司已匯聚包括原點(diǎn)創(chuàng)投、中新創(chuàng)投、聚源聚芯、哈勃投資、中小企業(yè)發(fā)展基金在內(nèi)的多家知名創(chuàng)投機(jī)構(gòu)。

數(shù)據(jù)來(lái)源：公開(kāi)資料整理

其中，原點(diǎn)創(chuàng)投及中新創(chuàng)投均為元禾控股旗下機(jī)構(gòu)，為國(guó)有股東。前者在東微半導(dǎo)的前身東微有限成立次年即已投資公司，投資年限超過(guò)10年，為元禾控股一貫堅(jiān)持的價(jià)值投資和長(zhǎng)期投資實(shí)踐。元禾控股專注早期、偏好技術(shù)、信守承諾，截至2022年10月的在投項(xiàng)目超250個(gè)。所投資和管理的項(xiàng)目中，87%屬于種子期和初創(chuàng)期，70%的投資屬于領(lǐng)投。東微半導(dǎo)坐落于元禾控股所在的蘇州工業(yè)園區(qū)，該園區(qū)由功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步早、基礎(chǔ)好，2021年，園區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)收突破700億元，同比增長(zhǎng)24%。作為園區(qū)重點(diǎn)功率半導(dǎo)體企業(yè)，東微半導(dǎo)將持續(xù)受益于園區(qū)政府的政策支持。

此外，持有公司7.46%股權(quán)的聚源聚芯重點(diǎn)投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試等產(chǎn)業(yè)，以推動(dòng)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)突破和整體提升。

而持有公司3.73%股權(quán)的中小企業(yè)發(fā)展基金，是國(guó)家中小企業(yè)發(fā)展基金首支實(shí)體基金，由深圳國(guó)資背景的深創(chuàng)投所控制的國(guó)中創(chuàng)投負(fù)責(zé)管理，在2022年三季度該基金出現(xiàn)在10家上市公司的前十大股東中，且多個(gè)報(bào)告期內(nèi)未有變動(dòng)。

此外，華為亦通過(guò)控股的哈勃投資持有公司4.93%股權(quán)，充分彰顯對(duì)公司技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可與發(fā)展前景的看好。

東微半導(dǎo)——登上過(guò)《Science》的芯片公司

東微半導(dǎo)當(dāng)前已發(fā)展成為高性能功率半導(dǎo)體的頭部廠商之一，也是市場(chǎng)中最受機(jī)構(gòu)關(guān)注的功率半導(dǎo)體“新星”。在成長(zhǎng)過(guò)程中，作為一家初創(chuàng)公司，東微半導(dǎo)能夠在多輪融資中引入多家知名創(chuàng)投，與公司聯(lián)合創(chuàng)始人的技術(shù)實(shí)力密不可分。

據(jù)悉，公司聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛博士和龔軼均曾就職于頂級(jí)國(guó)際芯片巨頭，擁有豐富的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)。其中，王鵬飛博士先后獲授權(quán)發(fā)明專利70余項(xiàng)，其中美國(guó)專利授權(quán)30余項(xiàng)，是國(guó)家高層次人才特殊支持計(jì)劃領(lǐng)軍人才入選者。王博士還是互補(bǔ)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CTFET）的發(fā)明人，曾在英飛凌存儲(chǔ)器研發(fā)中心發(fā)明多項(xiàng)DRAM核心器件。在2013年，王鵬飛博士還研制出全球首個(gè)半浮柵晶體管（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章發(fā)表在頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《Science》上，這是我國(guó)微電子領(lǐng)域研究首次登上Science雜志。在A股，在《Science》發(fā)表過(guò)論文的芯片公司也幾乎僅此一家。

創(chuàng)始人的技術(shù)背景與實(shí)力，決定了東微半導(dǎo)在成立之初便具備國(guó)際化的視野與技術(shù)創(chuàng)新能力，盡管體量還相對(duì)較小，卻具備領(lǐng)先的核心技術(shù)，多項(xiàng)技術(shù)追平甚至超越了國(guó)外一流技術(shù)。在工業(yè)級(jí)及汽車級(jí)的功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代。

東微半導(dǎo)當(dāng)前主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET,并通過(guò)持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了超級(jí)硅MOSFET、TGBT、Super-Si等產(chǎn)品。作為一家低調(diào)的公司，應(yīng)該還有較多的創(chuàng)新技術(shù)還處在秘而不宣的階段。

數(shù)據(jù)來(lái)源：東微半導(dǎo)2022年半年度報(bào)告

從應(yīng)用領(lǐng)域看，東微半導(dǎo)是國(guó)內(nèi)最早進(jìn)入工業(yè)和汽車相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的功率器件廠商之一，產(chǎn)品也以工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)應(yīng)用為主。由于工業(yè)級(jí)應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性要求普遍高于消費(fèi)級(jí)應(yīng)用，因此東微半導(dǎo)產(chǎn)品附加值也更高。

借助產(chǎn)品及技術(shù)優(yōu)勢(shì)，東微半導(dǎo)的品牌知名度和市場(chǎng)認(rèn)可度不斷提高，其產(chǎn)品已進(jìn)入華為、比亞迪、英飛源、維諦技術(shù)、EnphaseEnergy和麥格米特等多個(gè)高知名度客戶。超級(jí)硅 MOSFET器件進(jìn)入中車株洲等客戶，并已批量供應(yīng)微逆變領(lǐng)域的頭部客戶Enphase Energy。獲得比亞迪全資子公司弗迪動(dòng)力有限公司頒發(fā)的“2021年度優(yōu)秀供應(yīng)商”榮譽(yù)稱號(hào)。該等客戶供應(yīng)鏈體系準(zhǔn)入門檻高，獲得認(rèn)證后粘性更強(qiáng)，有利于推動(dòng)公司不斷進(jìn)行技術(shù)升級(jí)，為公司的技術(shù)領(lǐng)先提供動(dòng)力。

在供應(yīng)商方面，東微半導(dǎo)與上游晶圓制造企業(yè)華虹半導(dǎo)體、粵芯半導(dǎo)體及DB Hitek等廠商保持穩(wěn)定的業(yè)務(wù)和技術(shù)合作關(guān)系，當(dāng)前上述主要供應(yīng)商正積極擴(kuò)產(chǎn)。2022年上半年，公司還獲得了華虹半導(dǎo)體“12英寸平臺(tái)累計(jì)出貨100萬(wàn)片卓越貢獻(xiàn)客戶”榮譽(yù)稱號(hào)。

伴隨著客戶群體的擴(kuò)展與優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商的深入合作，公司的銷售規(guī)模亦高速增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，2019年至2021年，東微半導(dǎo)營(yíng)收從1.96億增長(zhǎng)至7.82億，歸母凈利潤(rùn)從0.09億增長(zhǎng)至1.47億，3年間分別增長(zhǎng)298.98%、1533.33%。2022年1-9月，公司營(yíng)收與凈利潤(rùn)已超過(guò)2021年總和，分別為7.90億、2.00億，同比增速分別達(dá)到41.29%、115.62%。據(jù)Wind數(shù)據(jù)，A股上市公司IGBT指數(shù)(8841291.WI)2022年三季度凈利潤(rùn)同比增速均值為55.84%，東微半導(dǎo)115.62%的凈利增速在板塊中排名第二。

根據(jù)公開(kāi)消息：東微半導(dǎo)最新還榮獲“2023中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會(huì)暨中國(guó)IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮”之人均創(chuàng)收（TTM）TOP100第一、人均創(chuàng)利（TTM）TOP100第一。榮獲“2022年度國(guó)家情懷·中國(guó)科創(chuàng)板評(píng)選”之“最具投資價(jià)值企業(yè)”。

MOSFET穩(wěn)定增長(zhǎng)，TGBT持續(xù)放量，第三代半導(dǎo)體前瞻布局，未來(lái)持續(xù)高成長(zhǎng)可期

東微半導(dǎo)的快速發(fā)展與盈利能力的增強(qiáng)，使得公司估值與基本面得到進(jìn)一步匹配，截至最新PEttm為60.20倍，已具備較合理的配置價(jià)值。而當(dāng)前東微半導(dǎo)新產(chǎn)品放量與技術(shù)布局使得公司發(fā)展兼具確定性和成長(zhǎng)性。

在新產(chǎn)品方面，公司基于自主專利技術(shù)開(kāi)發(fā)出650V、1200V及1350V等電壓平臺(tái)的多種TGBT系列IGBT器件已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，批量進(jìn)入光伏逆變、儲(chǔ)能、直流充電樁、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域的多個(gè)頭部客戶；公司的創(chuàng)新型 Tri-gate IGBT 器件產(chǎn)品在2021年上半年開(kāi)始送樣認(rèn)證并少量出貨，半年度實(shí)現(xiàn)銷售收入 1710.46萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)高達(dá)70倍以上，順利對(duì)基于傳統(tǒng)trench-gate FS-IGBT技術(shù)的芯片進(jìn)行替代，表現(xiàn)出高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。

在技術(shù)布局方面，東微半導(dǎo)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)突出，2022年上半年，公司在積極布局的基于第三代功率半導(dǎo)體SiC材料的功率器件領(lǐng)域中提出新技術(shù)路線，有望把握第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)，為公司帶來(lái)新的收入增長(zhǎng)點(diǎn)。

中金公司報(bào)告指出，東微半導(dǎo)在硅基超級(jí)結(jié)MOSFET領(lǐng)域已出貨第四代產(chǎn)品，與英飛凌C7產(chǎn)品線形成對(duì)標(biāo)，并服務(wù)工業(yè)電源、車載充電機(jī)、直流充電樁、光伏微逆等高端應(yīng)用，超級(jí)結(jié)MOSFET收入體量大幅領(lǐng)先國(guó)內(nèi)同業(yè)者。

在市場(chǎng)空間更廣闊的IGBT領(lǐng)域，公司自主研發(fā)的三柵IGBT（TGBT）第一代產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)出貨，多款第二代產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，收入有望進(jìn)入快速成長(zhǎng)期，在工業(yè)控制、光伏及儲(chǔ)能逆變器應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?guó)外品牌進(jìn)行替代。此外，公司碳化硅相關(guān)專利產(chǎn)品已在客戶認(rèn)證階段，有望延續(xù)其在硅基功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)秀底層設(shè)計(jì)能力，把握第三代化合物半導(dǎo)體在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展浪潮，打開(kāi)新的收入增長(zhǎng)點(diǎn)。

結(jié)語(yǔ)：

國(guó)際上傳統(tǒng)能源向新能源的轉(zhuǎn)變是一個(gè)不可逆的過(guò)程，因而功率半導(dǎo)體也會(huì)在很長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)保持飛速發(fā)展。雖然在諸多國(guó)際巨頭前，東微半導(dǎo)目前只是一家營(yíng)收一個(gè)多億美金的小不點(diǎn)，但是，東微半導(dǎo)掌握了多個(gè)核心技術(shù)并具備了國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。隨著技術(shù)優(yōu)勢(shì)不斷轉(zhuǎn)化為市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，公司在不久的將來(lái)可以走向更為廣闊的舞臺(tái)，占領(lǐng)更多高端市場(chǎng)，從而量變形成質(zhì)變，成長(zhǎng)為國(guó)產(chǎn)芯片行業(yè)的一顆明星。