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長(cháng)晶科技深入功率半導體研發(fā)制造,推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品發(fā)展

2025/3/26 13:23:41     

在全球半導體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)云變幻中,中國半導體企業(yè)正在積極尋求技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)升級,力圖在國際市場(chǎng)上占據一席之地。江蘇長(cháng)晶科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)晶科技”)作為中國半導體功率器件領(lǐng)域的佼佼者,憑借其卓越的自主創(chuàng )新能力,正加速推動(dòng)中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

長(cháng)晶科技自成立之初,就將技術(shù)創(chuàng )新視為企業(yè)發(fā)展的生命線(xiàn)。公司持續加大研發(fā)投入,引進(jìn)和培養高素質(zhì)的研發(fā)人才,組建了一支實(shí)力雄厚的研發(fā)團隊。截至2024年底,長(cháng)晶科技已擁有220件授權專(zhuān)利(其中發(fā)明專(zhuān)利75件)和97件集成電路布圖設計專(zhuān)有權,合計知識產(chǎn)權數量約365件。這些知識產(chǎn)權不僅展示了公司在技術(shù)創(chuàng )新方面的雄厚實(shí)力,也為其產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力提供了堅實(shí)保障。


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在當前全球科技快速發(fā)展的背景下,半導體行業(yè)成為推動(dòng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵領(lǐng)域。長(cháng)晶科技作為一家新興企業(yè),在中國乃至全球的功率半導體市場(chǎng)中展現出顯著(zhù)的競爭力和創(chuàng )新能力。自2018年成立以來(lái),長(cháng)晶科技專(zhuān)注于半導體技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品創(chuàng )新,其主要產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋分立器件及電源管理集成電路(IC),并根據市場(chǎng)需求不斷擴展其種類(lèi)。公司的核心業(yè)務(wù)可以分為成品和晶圓兩大類(lèi),覆蓋從傳統二極管、三極管到多種結構的MOSFET、電源管理IC等多種類(lèi)型。

瞄準前沿科技,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新,極具爆發(fā)力的長(cháng)晶科技還在不斷開(kāi)拓更多應用場(chǎng)景的“硬核”產(chǎn)品。近幾年,隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)和新能源應用領(lǐng)域的快速發(fā)展,有著(zhù)“工業(yè)CPU”之稱(chēng)的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)器件和模塊也迎來(lái)了爆發(fā)。作為整個(gè)功率器件市場(chǎng)里較大的細分品類(lèi),IGBT技術(shù)門(mén)檻較高,是長(cháng)晶科技中長(cháng)期規劃的重要產(chǎn)品之一。通過(guò)不斷改良工藝平臺,長(cháng)晶科技研發(fā)并推出了FST3.0 IGBT產(chǎn)品,該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的微溝槽柵(1.6μm Pitch)+場(chǎng)終止技術(shù),極大地提高了載流子密度,降低了通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí),FST3.0 IGBT還具備出色的溫度穩定性和功率密度,能夠在各種惡劣環(huán)境下保持穩定的性能輸出。這些技術(shù)創(chuàng )新不僅提升了產(chǎn)品的整體性能,也進(jìn)一步鞏固了長(cháng)晶科技在IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。


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CSP MOSFET

另外,因為MOSFET功率器件因其高效、低損耗的特點(diǎn),在電機控制、電池管理系統等關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮著(zhù)不可替代的作用。在這個(gè)領(lǐng)域,長(cháng)晶科技憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng )新能力,取得了重大突破,推出了CSP MOSFET,為智能移動(dòng)等設備的發(fā)展注入了新的活力。

也正是憑借這種對技術(shù)創(chuàng )新的持續追求,2022年,長(cháng)晶科技成功獲評國家級專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè),由企業(yè)主導的“低功耗高可靠超結MOS器件關(guān)鍵技術(shù)研究”項目成功入選江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計劃。

長(cháng)晶科技的成功并非偶然,而是其長(cháng)期堅持技術(shù)創(chuàng )新和質(zhì)量?jì)?yōu)先戰略的結果。未來(lái),隨著(zhù)技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷發(fā)展,長(cháng)晶科技將繼續引領(lǐng)功率半導體行業(yè)的發(fā)展趨勢,為中國半導體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步貢獻更多的力量。