中國論文霸榜全球頂級半導體會(huì )議,收錄數量是美國1.7倍,但有一點(diǎn)不足
據日本經(jīng)濟新聞報道,在近期召開(kāi)的半導體集成電路的頂級國際會(huì )議“ISSCC 2025”上,來(lái)自中國的論文占到所有收錄論文數量的近40%,達92篇,約為排名第二的美國的1.7倍。
據了解,ISSCC是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的縮寫(xiě),是世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認的集成電路設計領(lǐng)域最高級別會(huì )議,被認為是集成電路設計領(lǐng)域的“世界奧林匹克大會(huì )”。
此次會(huì )議期間,投稿論文數為914篇,為史上最高。但收錄論文數量?jì)H為246篇,收錄率約為27%,未達過(guò)去的平均收錄率(30%)。其中,來(lái)自中國的收錄論文有92篇,約占總數的37%;美國、韓國分列第二和第三位,收錄論文數量分別為55篇和44篇。
分機構來(lái)看,我國北京大學(xué)和我國澳門(mén)大學(xué)被收錄的論文最多,均為15篇。排在第3位的是清華大學(xué),共有13篇,我國大學(xué)壟斷了收錄論文數量的前3名。
模擬芯片領(lǐng)域論文占優(yōu) 數字芯片領(lǐng)域仍需努力
雖然在此次ISSCC上,中國半導體論文收錄數量全球第一,是美國1.7倍,但依舊有一點(diǎn)不足,即:我國論文只在模擬芯片(處理模擬信號的芯片,主要包括電源管理芯片、射頻芯片等)領(lǐng)域占優(yōu),但在需要先進(jìn)制程的數字芯片(CPU、GPU、存儲芯片等都屬于數字芯片)領(lǐng)域,依舊有很長(cháng)的路要走。
日本信州大學(xué)的宮地教授表示,中國在“無(wú)需依賴(lài)最先進(jìn)的制程技術(shù),而是以電路設計創(chuàng )意取勝的領(lǐng)域”表現突出。在電源電路、RF(無(wú)線(xiàn)射頻)電路等模擬電路相關(guān)領(lǐng)域,中國研究人員發(fā)表的論文占據多數,在相關(guān)學(xué)術(shù)會(huì )議的多個(gè)專(zhuān)題中占據主導地位。
另一方面,在處理器、DRAM、NAND型閃存等需要最先進(jìn)制程技術(shù)的領(lǐng)域,中國的影響力相對較弱。例如,在存儲半導體領(lǐng)域,沒(méi)有一篇來(lái)自中國的關(guān)于DRAM和NAND的論文被收錄。這背后的原因之一是美國主導的對華出口管制政策,包括EUV(極紫外)光刻機對中國的出口禁令。
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