對半導體行業(yè)來(lái)說(shuō)，金秋10月是一個(gè)收獲的季節。一方面，行業(yè)全面復蘇，相關(guān)上市公司業(yè)績(jì)穩步增長(cháng)；另一方面，全國各地的半導體項目也在如火如荼地展開(kāi)著(zhù)，其中不乏百億級、五十億級的項目。

芯辰大海對10月1日至11月6日正在建設的半導體項目進(jìn)行了梳理，發(fā)現了兩大特點(diǎn):一是項目多，平均每天開(kāi)工或竣工一個(gè)項目；二是行業(yè)大項目多集中在第三代半導體、先進(jìn)封測等領(lǐng)域。

半導體項目密集展開(kāi) 平均每天開(kāi)工或竣工一個(gè)項目

雖然近年來(lái)部分外國政府在半導體行業(yè)加強了對中國的出口管制，但這并沒(méi)有影響到我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的熱情。從公開(kāi)數據來(lái)看，未來(lái)數年，我國依然是全球半導體產(chǎn)業(yè)的投資中心。

SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )）全球副總裁、中國區總裁居龍表示，“2022年～2026年全球將有109座新增的晶圓廠(chǎng)，其中70多個(gè)在中國大陸?！?/p>

另?yè)EMI的預測，2024年全球半導體設備銷(xiāo)售額預計同比增長(cháng)3.4%至1090億美元。中國對半導體設備投資將持續強勁，投入芯片設備將占據全球32%的份額。預計到2027年，中國將保持其作為全球300mm設備支出第一的地位，未來(lái)三年將投資超過(guò)1000億美元。

除了宏觀(guān)層面的數據，從微觀(guān)的角度來(lái)看，就今年10月份的數據來(lái)說(shuō)，我國半導體行業(yè)的項目建設，依舊維持在較高的水平。

據芯辰大海不完全統計，在10月1日至今（11月6日的），我國開(kāi)工（包括簽約、開(kāi)工等）或竣工（包括封頂、投產(chǎn)、通過(guò)驗證、交付用戶(hù)等）或取得重大進(jìn)展的半導體項目達37個(gè)，平均下來(lái)，每天都有一個(gè)項目開(kāi)工、竣工或取得重大進(jìn)展。

以下為項目詳情：

第三代半導體、先進(jìn)封測項目集中爆發(fā)

凡事都將講究輕重緩急，對于具有戰略意義的半導體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)更是如此。那么10月份，我國半導體行業(yè)的投資重心在哪里？芯辰大海對上述項目數據進(jìn)行分析后發(fā)現一個(gè)現象，10月份開(kāi)工的百億級、五十億級的項目都集中于第三代半導體、先進(jìn)封測領(lǐng)域。

10月份，我國半導體行業(yè)開(kāi)工的百億級項目有一個(gè)，即合肥中車(chē)時(shí)代半導體項目，總投資達 110 億元。項目計劃建設第三代功率半導體芯片生產(chǎn)線(xiàn)，主要生產(chǎn)碳化硅、氮化鎵等新型半導體材料的芯片。

10月份，我國半導體行業(yè)開(kāi)工的五十億級項目有3個(gè)。分別是：

計劃投資52億元的先進(jìn)半導體（公司名稱(chēng)為先進(jìn)半導體）芯片封測基地及總部項目，將新建先進(jìn)半導體功率器件芯片封測產(chǎn)線(xiàn)，整體達產(chǎn)后，預計可實(shí)現年主營(yíng)業(yè)務(wù)收入約50億元；

總投資35.2億元的通富微電先進(jìn)封測項目，計劃引進(jìn)國際一流的封測技術(shù)和設備，未來(lái)產(chǎn)品廣泛應用于高性能計算、人工智能、網(wǎng)絡(luò )通信等多個(gè)領(lǐng)域；

投資48億元的華天電子汽車(chē)電子產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)升級項目。據了解，自2010年華天電子科技園開(kāi)工建設以來(lái)，公司累計投資超過(guò)70億元，發(fā)展成為我國重要的引線(xiàn)框架類(lèi)集成電路封測基地。

除了上述項目，10月份，我國半導體行業(yè)還有兩個(gè)百億級項目取得重大進(jìn)展，分別是：

項目總投資預計超過(guò)200億元的長(cháng)飛先進(jìn)武漢碳化硅項目，根據規劃，該項目基地11月起設備進(jìn)駐廠(chǎng)房，明年年初開(kāi)始調試，預計2025年5月量產(chǎn)通線(xiàn)，隨后將開(kāi)啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。

總投資120億元的士蘭集宏8英寸SiC（碳化硅）功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項目，該項目在10月份已經(jīng)進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項目預計將于2025年三季度末初步通線(xiàn)，四季度試生產(chǎn)，項目分兩期建設。

可以看到，上述6個(gè)項目，無(wú)一例外，全部集中于第三代半導體和先進(jìn)封測。那么，為什么這兩個(gè)領(lǐng)域會(huì )成為行業(yè)重點(diǎn)發(fā)展方向呢？

公開(kāi)資料顯示，第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，相比于第一代和第二代半導體材料，第三代半導體行業(yè)有兩大特點(diǎn)。一是性能更好，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)；二是因為行業(yè)起步相對較晚，我國在該產(chǎn)業(yè)與世界先進(jìn)水平的差距相對較小。

先進(jìn)封測技術(shù)方面，近年來(lái)半導體先進(jìn)制程工藝已經(jīng)進(jìn)入1到3納米時(shí)代，逐漸逼近物理極限。所以，越來(lái)越多的廠(chǎng)商開(kāi)始將研發(fā)方向由先前的“如何把芯片變得更小”轉變?yōu)椤叭绾伟研酒獾酶　?，先進(jìn)封測技術(shù)逐漸成為行業(yè)發(fā)展重點(diǎn)。