作為模擬芯片的細分市場(chǎng)，電源管理芯片正享受著(zhù)新能源、智能化、數字化浪潮帶來(lái)的增長(cháng)紅利，特別是在智能電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，無(wú)論是自動(dòng)駕駛、智能座艙、域控制、車(chē)身控制、車(chē)燈，還是電池管理系統等，這些系統都需要大量的電源管理芯片。
同時(shí)，隨著(zhù)智能電動(dòng)汽車(chē)越來(lái)越向數字化、智能化和集成化發(fā)展，這些應用也對電源管理芯片提出了高輸出、高效率、低能耗、安全穩定等性能需求。

作為模擬芯片，電源管理芯片設計的根基在于工藝：應用廣泛、性能卓越的BCD（Bipolar- CMOS-DMOS）工藝。自BCD工藝誕生以來(lái)的40年里，該工藝也不斷隨下游應用需求變化而煥發(fā)生機。

本文將深度探索BCD工藝的歷史、現在和未來(lái)趨勢，以及在新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革環(huán)境中，本土企業(yè)芯聯(lián)集成在BCD技術(shù)上的戰略布局和創(chuàng )新引領(lǐng)。

01、伴應用需求而生，BCD工藝不斷煥發(fā)生機

BCD工藝，這一創(chuàng )新的單片集成技術(shù)，誕生于對下游應用需求的深刻理解?；厮莸?0世紀70年代末80年代初，市場(chǎng)對Bipolar（雙極性晶體管）、CMOS（互補金屬氧化物半導體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）三種芯片的需求日益增長(cháng)。

面對這一挑戰，彼時(shí)的意法半導體探索將這三種技術(shù)融合的可能性，并在1985年成功推出了BCD工藝，實(shí)現了在同一芯片上集成Bipolar、CMOS和DMOS器件的突破。

BCD工藝的優(yōu)勢在于其能夠將不同性能的器件集成于一顆芯片之中，同時(shí)保持了各器件的優(yōu)秀性能。特別是高壓高功率的DMOS器件，在開(kāi)關(guān)模式下展現出極低的功耗，給終端產(chǎn)品帶來(lái)體積小、速度快、耗能低等優(yōu)勢。BCD工藝還提高了芯片的綜合性能，簡(jiǎn)化了制造過(guò)程，降低了成本，同時(shí)增強了系統的可靠性并減少了電磁干擾。

BCD技術(shù)正朝著(zhù)高電壓、高功率、高密度三個(gè)關(guān)鍵方向發(fā)展，以滿(mǎn)足汽車(chē)電子、工控、消費電子等不同應用場(chǎng)景對高電壓耐受、小型化、高集成度等的需求。

同時(shí)，歷經(jīng)近四十年的演進(jìn)，BCD工藝集成度不斷提高，結合eFlash、MOS和SOI技術(shù)，可以提供更高的設計靈活性、更強大的性能，以及更低的系統成本。

BCD與eFlash的結合不僅滿(mǎn)足了產(chǎn)品對功耗效率、性能等級、兼容性的多重需求，還將模擬芯片與控制芯片合二為一，有效降低了整體系統成本。

BCD工藝的低功耗特性結合MOS的高效率，則可以顯著(zhù)提升整個(gè)系統的可靠性和能效。

BCD與SOI的結合利用了SOI和DTI的獨特優(yōu)勢，減小寄生結電容，提高了MOS管跨導和開(kāi)關(guān)速度，降低了功耗，同時(shí)，徹底消除了閂鎖效應，減少了電路設計的復雜度并增強了可靠性。

02、BCD工藝的不斷突破：芯聯(lián)集成的創(chuàng )新之旅

BCD工藝，這一由應用需求驅動(dòng)的創(chuàng )新技術(shù)，最初主要掌握在歐美IDM手中。隨著(zhù)時(shí)間的推移，非IDM的晶圓代工企業(yè)，如臺積電、東部高科等也開(kāi)始迎頭趕上，發(fā)展自己的BCD技術(shù)，逐步縮小了與IDM之間的技術(shù)差距，甚至引領(lǐng)BCD技術(shù)的發(fā)展。

新技術(shù)的浪潮席卷至國內市場(chǎng)，本土的晶圓代工企業(yè)開(kāi)始布局BCD，以迎合日益增長(cháng)的市場(chǎng)需求，并增強國內產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈自主可控能力。

在這場(chǎng)技術(shù)與市場(chǎng)的雙重競賽中，芯聯(lián)集成以其全面而稀缺的BCD車(chē)規平臺，規模量產(chǎn)的實(shí)力，以及在特色工藝和特色器件研發(fā)上的創(chuàng )新引領(lǐng)，確立了自身在行業(yè)中的領(lǐng)先地位。

這背后離不開(kāi)人才的支撐與助推。模擬芯片是一個(gè)長(cháng)坡厚雪的賽道，需要長(cháng)期積累和經(jīng)驗沉淀。芯聯(lián)集成創(chuàng )始團隊成員在模擬類(lèi)芯片領(lǐng)域有20年以上的經(jīng)驗，針對BCD工藝，可以為客戶(hù)提供了精準的模擬高壓器件模型、完整的PDK（工藝設計套件）和IP支持，以及高效的定制化服務(wù)。

在半導體行業(yè)，12英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)已成為國內外廠(chǎng)商BCD工藝的顯著(zhù)優(yōu)勢。隨著(zhù)BCD工藝技術(shù)的持續創(chuàng )新和進(jìn)步，行業(yè)面臨著(zhù)成本控制和供應鏈管理的雙重挑戰。為了有效應對這些挑戰，國際IDM企業(yè)紛紛加大投資，轉向12英寸晶圓廠(chǎng)，以此提升產(chǎn)能并實(shí)現成本效益的最大化。

芯聯(lián)集成緊跟行業(yè)趨勢，積極布局12英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)，以確保公司在激烈的市場(chǎng)競爭中保持領(lǐng)先地位。今年公司的12英寸晶圓產(chǎn)能已顯著(zhù)提升至每月3萬(wàn)片，2027年底達產(chǎn)，產(chǎn)能10萬(wàn)片/月。這一產(chǎn)能的擴張不僅展示了公司對市場(chǎng)需求的快速響應能力，也體現了公司在生產(chǎn)規模和效率上的不斷優(yōu)化。

12英寸晶圓在模擬IC制造中所帶來(lái)的優(yōu)勢不容小覷。更高的晶圓尺寸意味著(zhù)更高的集成度和更精細的工藝控制，這直接轉化為模擬IC性能的提升和品質(zhì)的保障。隨著(zhù)12英寸產(chǎn)線(xiàn)的不斷成熟和優(yōu)化，客戶(hù)將享受到更低的生產(chǎn)成本，同時(shí)其產(chǎn)品在市場(chǎng)中的競爭力也將得到顯著(zhù)增強。