日前，蘇州鍇威特半導體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鍇威特”）科創(chuàng )板IPO提交注冊。招股書(shū)顯示，鍇威特主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導體的設計、研發(fā)和銷(xiāo)售，并提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。公司堅持“自主創(chuàng )芯，助力核心芯片國產(chǎn)化”的發(fā)展定位，主要產(chǎn)品包含功率器件及功率IC兩大類(lèi)。

根據該公司公開(kāi)的招股說(shuō)明書(shū)注冊稿，鍇威特通過(guò)自主創(chuàng )新和技術(shù)沉淀，已同時(shí)具備功率器件和功率IC的設計、研發(fā)能力。公司掌握了功率半導體芯片的前端設計技術(shù)，自主搭建了多個(gè)功率半導體細分產(chǎn)品的技術(shù)平臺；公司與晶圓代工廠(chǎng)深度合作，可根據晶圓代工廠(chǎng)的標準工藝調整工藝參數和流程，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品性能。截至2022年12月8日，公司已獲授權專(zhuān)利60項（其中發(fā)明專(zhuān)利18項、實(shí)用新型專(zhuān)利42項），集成電路布圖設計專(zhuān)有權36項。

在功率器件方面，鍇威特已同時(shí)具備硅基及SiC基功率器件的設計、研發(fā)能力，積累了多項具有原創(chuàng )性和先進(jìn)性的核心技術(shù)，其中3項達到國際先進(jìn)水平，1項達到國內領(lǐng)先水平。在平面MOSFET方面，公司核心技術(shù)具體包括“高可靠性元胞結構”“新型復合終端結構及實(shí)現工藝技術(shù)”等。其中，公司利用“高壓MOSFET的少子壽命控制及工藝實(shí)現技術(shù)”研發(fā)并量產(chǎn)的FRMOS產(chǎn)品具有反向恢復時(shí)間短、漏電流小、高溫特性好、反向恢復特性較軟、低電磁干擾的優(yōu)勢特性；在第三代半導體器件方面，公司利用掌握的“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產(chǎn)品溝道控制及其制造技術(shù)”實(shí)現了SiCMOSFET穩定的性能和優(yōu)良的良率控制。上述核心技術(shù)有效提升了公司產(chǎn)品性能指標，增強了產(chǎn)品市場(chǎng)競爭力。

在功率IC方面，鍇威特基于晶圓代工廠(chǎng)0.5μm600VSOIBCD工藝和0.18μm40VBCD等工藝自主搭建了設計平臺；公司與晶圓代工廠(chǎng)深度合作，可根據晶圓代工廠(chǎng)的標準工藝調整工藝參數和流程，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品性能。公司已形成80余款1功率IC產(chǎn)品，并完成了多款功率IC所需的IP設計與驗證；公司自主研發(fā)了“一種全電壓范圍多基準電壓同步調整電路及高精準過(guò)壓保護電路”“一種輸入失調電壓自動(dòng)修正電路”等核心技術(shù)，有效提升了產(chǎn)品參數一致性，增強了產(chǎn)品可靠性。

同時(shí)，鍇威特是國家級高新技術(shù)企業(yè)、國家鼓勵的重點(diǎn)集成電路設計企業(yè)和軟件企業(yè)、國家級專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)，并榮獲由中國電子信息發(fā)展研究院（賽迪研究院）評選的第十六屆（2021年度）和第十五屆（2020年度）“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng )新產(chǎn)品獎；由中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )、中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì )等機構聯(lián)合評選的第十四屆（2019年度）和第十二屆（2017年度）中國半導體創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)獎。公司還獲得了漢磊科技“最佳合作伙伴”“最佳業(yè)績(jì)成長(cháng)”的合作商獎項，芯片設計和工藝調試能力得到業(yè)內知名晶圓代工廠(chǎng)的認可。

對于未來(lái)，鍇威特方面表示，將持續對戰略性產(chǎn)品進(jìn)行研發(fā)投入，加強對核心技術(shù)的積累；在注重基礎研究的同時(shí)，深度拓展前沿技術(shù)的應用，推動(dòng)產(chǎn)品的技術(shù)高效升級與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程；通過(guò)與高校合作，打通在職讀博人才培養的產(chǎn)學(xué)研渠道，打造良性循環(huán)的高端人才梯隊，并將通過(guò)持續優(yōu)化激勵制度，增強團隊的凝聚力和創(chuàng )造力，提升公司的自主創(chuàng )新能力。

此外，此次上市成功后，公司將優(yōu)化研發(fā)環(huán)境，擬通過(guò)本次募投項目在張家港升級功率半導體研發(fā)工程中心，建立和完善張家港、無(wú)錫和西安一體兩翼的研發(fā)協(xié)同機制。在對研發(fā)工程中心進(jìn)行升級的過(guò)程中，增加研發(fā)的軟硬件投入，建立并完善器件試驗室、可靠性實(shí)驗室和失效分析實(shí)驗室等，增強對產(chǎn)品可靠性的檢測能力，進(jìn)一步提升公司研發(fā)和成果轉化的能力水平。