在國家“雙碳”政策的持續(xù)推動下，新能源市場爆發(fā)。作為功率半導(dǎo)體應(yīng)用的重要領(lǐng)域，新能源滲透率的快速提升也將拉動功率器件的高速增長。據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，純電動車單車較燃油車新增400美元功率半導(dǎo)體用量，風(fēng)光儲設(shè)備的功率半導(dǎo)體單位含量為2000-5000歐元/兆瓦。

功率半導(dǎo)體中以MOSFET、IGBT器件為主。在新能源車電動化時代中，中高壓MOSFET作為DC-DC、OBC等電源重要組成部分應(yīng)用于新能源車中，單車用量達至200個以上。隨著新能源汽車智能化時代的到來，高級駕駛輔助系統(tǒng)、安全、娛樂等功能均需要大量的功率MOSFET，未來中高端車型中MOSFET單車用量將增至400個。在太陽能、風(fēng)能等新能源發(fā)電中，需運用功率半導(dǎo)體器件的轉(zhuǎn)換才能入網(wǎng)傳輸，由于新能源發(fā)電大多工作在高壓環(huán)境，以高壓超級結(jié)MOSFET和IGBT為首的高功率器件迎來了重要的發(fā)展機遇。

于今年2月科創(chuàng)板上市的東微半導(dǎo)，是一家以高性能高端功率器件為主的功率半導(dǎo)體廠商，擁有國際化團隊、具備國際競爭力、掌握國際核心技術(shù)。其主營的中高壓MOSFET及IGBT芯片大量出貨給光儲、車載電子等新能源應(yīng)用市場。

東微半導(dǎo)首席技術(shù)官王鵬飛博士畢業(yè)于德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)，曾獲國家高層次人才計劃科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、上海市特聘專家、上海市高校特聘教授等榮譽稱號。命名了知名的TFET（隧穿場效應(yīng)晶體管）器件，并首次制造出互補隧穿晶體管（CTFET）。此外，王鵬飛博士還曾在Science雜志上發(fā)表高質(zhì)量的研究論文，先后獲授權(quán)發(fā)明專利70余項，其中美國專利授權(quán)30余項。

一、東微半導(dǎo)產(chǎn)品特點

東微半導(dǎo)的技術(shù)具備鮮明的特點。在IGBT器件上，東微半導(dǎo)擁有公司獨創(chuàng)的TGBT器件結(jié)構(gòu)，其第一代650V TGBT芯片已經(jīng)達到國際主流的第七代IGBT技術(shù)水平，第二代TGBT也已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。東微半導(dǎo)IGBT產(chǎn)品以單管為主，應(yīng)用在分布式光伏逆變器、充電樁模塊中。此外，東微的IGBT還以裸片形式提供給模塊廠商用于IGBT模塊制造，開始逐漸切入IGBT模塊領(lǐng)域。

東微半導(dǎo)MOSFET則以高壓超級結(jié)為主，77%集中于工業(yè)、車規(guī)級應(yīng)用。東微半導(dǎo)的高壓超級結(jié)MOSFET在新能源車直流充電樁細分領(lǐng)域已占據(jù)20%-30%份額（按照定期報告數(shù)據(jù)粗略統(tǒng)計），并進入了車載OBC的應(yīng)用領(lǐng)域。

功率半導(dǎo)體廠商2020-2021年營收增速及扣非凈利潤增速

數(shù)據(jù)來源：斯達半導(dǎo)、宏偉科技、新潔能、東微半導(dǎo)年度報告

拿A股的四家功率芯片上市公司的財務(wù)做比較，東微半導(dǎo)的增速表現(xiàn)也比較亮眼。據(jù)東微半導(dǎo)最新三季報顯示，公司受益于下游新能源車、光儲等持續(xù)高景氣度，2022Q1-Q3實現(xiàn)營業(yè)收入7.90億元，同比增長41.29%；歸屬于上市公司股東的凈利潤2.00億元，同比增長115.62%。在三季度半導(dǎo)體領(lǐng)域業(yè)績出現(xiàn)兩極分化后，公司仍維持了高增長的態(tài)勢。東微半導(dǎo)能夠在本土眾多功率半導(dǎo)體企業(yè)中脫穎而出，不僅得益于其終端應(yīng)用聚焦新能源高景氣賽道，能覆蓋多領(lǐng)域頭部玩家，也得益于公司較快的技術(shù)追趕速度，迅速對許多國產(chǎn)難度較大的芯片實現(xiàn)了國產(chǎn)替代。

二、東微半導(dǎo)如何乘風(fēng)而上？

東微半導(dǎo)擁有高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級硅MOSFET以及具有獨立知識產(chǎn)權(quán)的IGBT類產(chǎn)品TGBT；產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車直流充電樁、新能源汽車車載充電器、5G基站及通信電源、光伏逆變器等領(lǐng)域。

1、聚焦新能源汽車、光儲等高景氣賽道，覆蓋多領(lǐng)域頭部玩家

自“雙碳”政策發(fā)布以來，我國新能源發(fā)展一直如火如荼。在新能源車領(lǐng)域，中汽協(xié)數(shù)據(jù)顯示，2022年1-11月我國新能源汽車累計產(chǎn)銷量為625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，繼續(xù)保持快速增長態(tài)勢。而伴隨新能源汽車高速發(fā)展的同時，新能源汽車直流充電樁也迎來廣大發(fā)展機遇，截至2021年末我國充電樁數(shù)量達261.7萬個，車樁比為2.4：1，但仍遠低于《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南》規(guī)劃的1：1的指標，預(yù)計2021-2024年中國新能源汽車充電樁行業(yè)市場規(guī)模CAGR將維持在29%。在公共直流充電樁中使用的功率器件以高壓MOSFET為主。2016年，東微半導(dǎo)便率先量產(chǎn)國內(nèi)首款自主研發(fā)充電樁用功率半導(dǎo)體器件GreenMOS高壓超級結(jié)MOSFET，在其最新半年報中可以看到充電樁和車載充電機營收同比增長達60%和1350%，公司作為國內(nèi)充電樁芯片的領(lǐng)頭羊，未來將繼續(xù)受益于新能源汽車滲透率提升、充電樁建設(shè)加快帶來的業(yè)績增長。

數(shù)據(jù)來源：中國充電聯(lián)盟

在光儲領(lǐng)域，數(shù)據(jù)顯示2022年1-10月我國光伏新增裝機同比增長98.7%，創(chuàng)下歷史上按年新增裝機量的最高記錄，東微半導(dǎo)的高壓超結(jié)MOS、IGBT產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏逆變及儲能領(lǐng)域，據(jù)公司2022半年報顯示，公司在光伏逆變器的營收同比增長近300%。據(jù)預(yù)計我國2025年光伏微逆變器的行業(yè)規(guī)模有望達到206億元，2020-2025年CAGR達到24.8%，隨著公司TGBT產(chǎn)能的逐漸釋放，將加快公司在光儲領(lǐng)域市占率的提升，成為公司的第二增長曲線。

同時，公司在這些高景氣度領(lǐng)域也積累了眾多頭部客戶，公司曾獲得比亞迪全資子公司弗迪動力有限公司頒發(fā)的“2021年度優(yōu)秀供應(yīng)商”榮譽稱號；在光伏逆變、儲能應(yīng)用領(lǐng)域，高壓器件批量出貨給Enphase、昱能科技、禾邁股份等客戶，此外在工業(yè)電源、5G基站及通信電源等領(lǐng)域也擁有知名終端用戶，如華為、維諦技術(shù)、通用電氣等。包含中高壓MOS、超級硅MOS及IGBT在內(nèi)豐富的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，使得公司能夠覆蓋上述領(lǐng)域的1200多家用戶，下游高景氣度和強大的客戶群體提高了公司的品牌競爭力和知名度，為業(yè)績的增長做出了保障。

2、技術(shù)迭代速度快，凸顯創(chuàng)新能力，加深代工合作

公司專注于器件底層結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，擁有多項差異化設(shè)計及工藝專利。在下游需求穩(wěn)步成長的超級結(jié)MOSFET領(lǐng)域，公司產(chǎn)品已迭代至第四代，第五代產(chǎn)品研發(fā)進展順利，多款產(chǎn)品已追平國際領(lǐng)先水平。中低壓屏蔽柵MOSFET領(lǐng)域已實現(xiàn)在工業(yè)、車規(guī)領(lǐng)域的規(guī)?；N售。在IGBT領(lǐng)域，公司自主研發(fā)的TGBT第一代產(chǎn)品實現(xiàn)大規(guī)模出貨，多款第二代產(chǎn)品已進入批量生產(chǎn)階段。在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司已經(jīng)在專利技術(shù)形成布局，相關(guān)產(chǎn)品也已進入客戶認證狀態(tài)。

公司在8寸產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上進行優(yōu)化，并加快在12寸線的技術(shù)轉(zhuǎn)移，快速擴大12寸超級結(jié)MOSFET、屏蔽柵MOSFET及TGBT的產(chǎn)品規(guī)格與系列，2022年上半年，公司獲得了華虹半導(dǎo)體“12英寸平臺累計出貨100萬片卓越貢獻客戶”榮譽稱號?？梢钥吹?，東微半導(dǎo)具有與上游供應(yīng)商實現(xiàn)深度定制化開發(fā)的能力，實現(xiàn)雙方技術(shù)能力的相互促進和共同提升，從而也保障了公司產(chǎn)能，擴大產(chǎn)能占有率并迅速轉(zhuǎn)化為市場份額。

三、結(jié)語

公司處于高景氣度的賽道。隨著公司更多高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的成功開發(fā)，公司有望繼續(xù)維持高速成長，持續(xù)擴大其在中高壓MOS的市場份額。憑借公司突出的創(chuàng)新能力，有望在IGBT和第三代半導(dǎo)體市場中異軍突起。